Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 31 A, DPAK, 通孔安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9403
- 制造商零件编号:
- IRFR3410TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-9403
- 制造商零件编号:
- IRFR3410TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 31 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 31 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 DPAK | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
Infineon IRFR 系列是 100V 单 n 通道 IR mosfet,采用 D Pak 封装。红外 MOSFET 系列的功率 MOSFET 利用经验证的硅工艺,为设计人员提供广泛的设备组合,以支持各种应用,如直流电动机、变频器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用。这些设备提供各种表面安装和通孔封装,具有工业标准印迹,易于设计。
平面电池结构,用于宽 SOA
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用
工业标准表面安装封装
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用
工业标准表面安装封装