制造商编号

Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 31 A, TO-252, 表面安装, HEXFET系列

RS 库存编号:: 257-9404P
制造商零件编号:: IRFR3410TRPBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 31 A, TO-252, 表面安装, HEXFET系列

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单位	每单位
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250 - 995	RMB4.906
1000 +	RMB4.466

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RS 库存编号:: 257-9404P
制造商零件编号:: IRFR3410TRPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	31A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-252
	系列	HEXFET
	安装类型	表面
	最大漏源电阻 Rd	39mΩ
	最大功耗 Pd	110W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	37nC
	正向电压 Vf	1.3V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 31A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-252
	系列 HEXFET
	安装类型表面
	最大漏源电阻 Rd 39mΩ
	最大功耗 Pd 110W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 37nC
	正向电压 Vf 1.3V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IRFR3410TRPBF

Infineon IRFR 系列是 100V 单 n 通道 IR mosfet,采用 D Pak 封装。红外 MOSFET 系列的功率 MOSFET 利用经验证的硅工艺,为设计人员提供广泛的设备组合,以支持各种应用,如直流电动机、变频器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用。这些设备提供各种表面安装和通孔封装,具有工业标准印迹,易于设计。

平面电池结构,用于宽 SOA

经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性

产品符合 JEDEC 标准

硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用

工业标准表面安装封装

Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 31 A, TO-252, 表面安装, HEXFET系列

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