Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=75 V, 80 A, TO-252, 表面安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9406P
- 制造商零件编号:
- IRFR3607TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB9.452 |
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| 250 - 995 | RMB8.354 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-9406P
- 制造商零件编号:
- IRFR3607TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 140W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 56nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 9mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 140W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 56nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IRFR 系列是 75V 单 n 通道 HEXFET 功率 Mosfet,采用 D Pak 封装。红外 MOSFET 系列的功率 MOSFET 利用经验证的硅工艺,为设计人员提供广泛的设备组合,以支持各种应用,如直流电动机、变频器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用。这些设备提供各种表面安装和通孔封装,具有工业标准印迹,易于设计。
平面电池结构,用于宽 SOA
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用
工业标准表面安装封装