Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=60 V, 160 A, TO-263, 表面安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9424P
- 制造商零件编号:
- IRFS3306TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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| 100 - 248 | RMB15.69 |
| 250 + | RMB15.39 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-9424P
- 制造商零件编号:
- IRFS3306TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 160A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.2mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 85nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 230W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 160A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.2mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 85nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 230W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IRFS 系列是 60V 单 n 通道 HEXFET 电源 mosfet,采用 D2 Pak 封装。
改进的门、雪崩和动态 dV/dt 坚固性
完全特性化的电容和雪崩 SOA
增强型主体二极管 dV/dt 和 dI/dt 功能,无铅
符合 RoHS 标准,无卤素