Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=75 V, 80 A, TO-263, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9426P
- 制造商零件编号:
- IRFS3607TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
¥401.40
(不含税)
¥453.60
(含税)
有库存
- 另外 2,715 件在 2026年2月09日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB8.028 |
| 100 - 245 | RMB7.628 |
| 250 - 995 | RMB7.098 |
| 1000 + | RMB6.458 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-9426P
- 制造商零件编号:
- IRFS3607TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 140W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 56nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 HEXFET | ||
最大漏源电阻 Rd 9mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 140W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 56nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IRFS 系列是 75V 单 n 通道 HEXFET 电源 mosfet,采用 D2 Pak 封装。
改进的门、雪崩和动态 dv/dt 坚固性
完全特性化的电容和雪崩 SOA
增强型主体二极管 dV/dt 和 dI/dt 功能