Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=200 V, 43 A, TO-263, 表面安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9427
- 制造商零件编号:
- IRFS38N20DTRLP
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 257-9427
- 制造商零件编号:
- IRFS38N20DTRLP
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 43A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 54mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 320W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 60nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 43A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 54mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 320W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 60nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IRFS 系列是 200V 单 n 通道 IR mosfet,采用 D2 Pak 封装。
平面电池结构,用于宽 SOA
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用
工业标准表面安装电源封装
高电流承载能力封装(高达 195 A,取决于模具尺寸)
可波焊