Infineon N沟道MOS管, Vds=200 V, 44 A, D2-Pak, 通孔安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9428P
- 制造商零件编号:
- IRFS38N20DTRLP
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 10 件 (按连续条带形式提供)*
¥177.05
(不含税)
¥200.07
(含税)
有库存
- 另外 652 件在 2025年12月08日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 48 | RMB17.705 |
| 50 - 98 | RMB17.36 |
| 100 - 248 | RMB14.925 |
| 250 + | RMB14.61 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-9428P
- 制造商零件编号:
- IRFS38N20DTRLP
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 44 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | D2-Pak | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 44 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 D2-Pak | ||
安装类型 通孔 | ||
Infineon IRFS 系列是 200V 单 n 通道 IR mosfet,采用 D2 Pak 封装。
平面电池结构,用于宽 SOA
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用
工业标准表面安装电源封装
高电流承载能力封装(高达 195 A,取决于模具尺寸)
可波焊
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用
工业标准表面安装电源封装
高电流承载能力封装(高达 195 A,取决于模具尺寸)
可波焊