Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=60 V, 195 A, TO-263, IRFS7530TRLPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9438
- 制造商零件编号:
- IRFS7530TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥31.08
(不含税)
¥35.12
(含税)
有库存
- 另外 582 件在 2026年2月09日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB15.54 | RMB31.08 |
| 10 - 48 | RMB15.07 | RMB30.14 |
| 50 - 98 | RMB14.625 | RMB29.25 |
| 100 + | RMB14.33 | RMB28.66 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-9438
- 制造商零件编号:
- IRFS7530TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 195A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2mΩ | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 274nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 195A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-263 | ||
最大漏源电阻 Rd 2mΩ | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 274nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IRFS 系列是 60V 单 n 通道 HEXFET 电源 mosfet,采用 D2 Pak 封装。
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
优化用于 10 V 门驱动电压(称为正常电平)
硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用
与之前的硅一代相比,主体二极管更柔软
工业标准表面安装电源封装
可波焊