制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=7.60 A, PQFN, HEXFET系列

RS 库存编号:: 257-9447
制造商零件编号:: IRLHS6376TRPBF
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=7.60 A, PQFN, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 257-9447
制造商零件编号:: IRLHS6376TRPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	7.60A
	最大漏源电压 Vd	30V
	系列	HEXFET
	包装类型	PQFN
	安装类型	通孔
	最大漏源电阻 Rd	63mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.3V
	最大栅源电压 Vgs	12V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	2.8nC
	最大功耗 Pd	4.9W
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 7.60A
	最大漏源电压 Vd 30V
	系列 HEXFET
	包装类型 PQFN
	安装类型通孔
	最大漏源电阻 Rd 63mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.3V
	最大栅源电压 Vgs 12V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.8nC
	最大功耗 Pd 4.9W
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IRLHS6376TRPBF

Infineon IRLHS 系列是 30V 双 N 通道强大的 IRFET 功率 Mosfet,采用 PQFN 2x2 封装。强大的 IRFET 功率 Mosfet 系列经优化用于低 RDS(接通)和高电流能力。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流-直流转换器。

经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性

产品符合 JEDEC 标准

工业标准表面安装电源封装

低 RDS(接通),采用小型封装

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=7.60 A, PQFN, HEXFET系列

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