Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=20 V, 100 A, TO-252, 表面安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9461
- 制造商零件编号:
- IRLR6225TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 257-9461
- 制造商零件编号:
- IRLR6225TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4mΩ | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 最大功耗 Pd | 63W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 48nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 4mΩ | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
最大功耗 Pd 63W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 48nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IRLR 系列是 20V 单 n 通道 HEXFET 功率 Mosfet,采用 D-Pak 封装。
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
工业标准表面安装电源封装
可波焊