Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 86 A, TO-252, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9465P
- 制造商零件编号:
- IRLR8726TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB2.429 |
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| 250 - 990 | RMB2.147 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-9465P
- 制造商零件编号:
- IRLR8726TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 86A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 75W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Distrelec Product Id | 304-40-554 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 86A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-252 | ||
最大漏源电阻 Rd 8mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 75W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Distrelec Product Id 304-40-554 | ||
Infineon IRLR 系列是 30V 单 n 通道 HEXFET 电源 MOSFET,采用 D Pak 封装。
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
逻辑电平优化用于 5 V 门驱动电压
工业标准表面安装电源封装
可波焊