Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 100 A, TO-252, 表面安装, AUIRFR8403TRL, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-0633P
- 制造商零件编号:
- AUIRFR8403TRL
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB19.04 |
| 100 - 248 | RMB18.085 |
| 250 - 498 | RMB16.815 |
| 500 + | RMB15.31 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0633P
- 制造商零件编号:
- AUIRFR8403TRL
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.1mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 66nC | |
| 最大功耗 Pd | 99W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.1mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 66nC | ||
最大功耗 Pd 99W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 专门设计用于汽车应用,此 HEXFET 功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每硅区域极低的接通电阻。此设计的其他功能包括 175°C 接点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能结合在一起,使此设计成为一种非常高效可靠的设备,适用于汽车应用和其他各种应用。
先进的过程技术
新型超低接通电阻
175°C 工作温度
快速切换
重复雪崩,允许高达 Tjmax
无铅,符合 RoHS 标准