Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=306 A, 8针, TSON, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 258-0679P
- 制造商零件编号:
- BSC012N06NSATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB29.35 |
| 100 - 249 | RMB27.87 |
| 250 - 499 | RMB25.94 |
| 500 + | RMB23.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0679P
- 制造商零件编号:
- BSC012N06NSATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 306A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | TSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.20mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 214W | |
| 最高工作温度 | +175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 306A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 TSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.20mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 214W | ||
最高工作温度 +175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS MOSFET 采用 SuperSO8 封装,可扩展 OptiMOS 3 和 5 产品组合,并实现更高的功率密度以及更高的坚固性,以满足降低系统成本和提高性能的需求。低反向恢复电荷通过提供显著减少电压过冲,从而提高系统可靠性,从而最大程度地减少对减震器电路的需求,从而减少工程成本和精力。
低满载温度
减少并行
减少过冲
增加系统功率密度
尺寸更小