Infineon N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=57 A, 8针, TDSON, BSC系列
- RS 库存编号:
- 258-0694
- 制造商零件编号:
- BSC112N06LDATMA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 5000 件）*
RMB27,135.00
(不含税)
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(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 5000 + | RMB5.427 | RMB27,135.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0694
- 制造商零件编号:
- BSC112N06LDATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 57A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | BSC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 15mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 57A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 BSC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 15mΩ | ||
通道模式 N | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 60V 功率 MOSFET 是双超级 SO8 封装,用于高功率密度。由于 Qgd/Qgs,它具有高冲穿抗扰性<0.8。
卓越的耐热性
高工作温度高达 175°C
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