Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=120 V, 68 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, BSC120N12LSGATMA1, BSC系列
- RS 库存编号:
- 258-0697
- 制造商零件编号:
- BSC120N12LSGATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB11.945 | RMB23.89 |
| 10 - 98 | RMB11.585 | RMB23.17 |
| 100 - 248 | RMB11.01 | RMB22.02 |
| 250 - 498 | RMB10.235 | RMB20.47 |
| 500 + | RMB9.315 | RMB18.63 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0697
- 制造商零件编号:
- BSC120N12LSGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 68A | |
| 最大漏源电压 Vd | 120V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | BSC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 14.2mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 51nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 114W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 0.87V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 6.35 mm | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 长度 | 5.49mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 68A | ||
最大漏源电压 Vd 120V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 BSC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 14.2mΩ | ||
通道模式 N | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 114W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 0.87V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 6.35 mm | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS | ||
高度 1.1mm | ||
长度 5.49mm | ||
汽车标准 否 | ||
逻辑电平的 Infineon OptiMOS 3 功率 MOSFET 特别适用于充电、适配器和电信应用。设备低栅极电荷可减少切换损耗,而不会影响导电损耗。逻辑电平 MOSFET 允许在高切换频率下操作,由于具有低门阈值电压,可直接从微控制器驱动。
低门充电
更低的输出电荷
逻辑级别兼容性
更高的功率密度设计
更高的切换频率