Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 1.4 A, US, 表面安装, 6引脚, BSD316SNH6327XTSA1, BSD系列
- RS 库存编号:
- 258-0699
- 制造商零件编号:
- BSD316SNH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0699
- 制造商零件编号:
- BSD316SNH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | US | |
| 系列 | BSD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 160mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 0.5W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 1.25 mm | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| 长度 | 2mm | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 1.4A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 US | ||
系列 BSD | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 160mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 0.5W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.6nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 1.25 mm | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS | ||
长度 2mm | ||
高度 0.9mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon N 通道小信号 MOSFET 汽车和工业制造商提供广泛的 N 和 P 通道小信号 MOSFET 产品组合,可满足和超过知名工业标准封装中的最高质量要求。这些组件具有无与伦比的可靠性和制造能力,特别适用于各种应用,包括 LED 照明、ADAS、主体控制装置、SMPS 和电动机控制。
增强模式
逻辑电平
Avalanche 等级
快速切换
Dv/dt 额定值
低 RDS(接通)可提供更高的效率并延长电池寿命
小型封装可节省印刷电路板空间
同类最佳的质量和可靠性