制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=1.4 A, 6针, US, BSD系列

RS 库存编号:: 258-0699
制造商零件编号:: BSD316SNH6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=1.4 A, 6针, US, BSD系列

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* 参考价格

RS 库存编号:: 258-0699
制造商零件编号:: BSD316SNH6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	1.4A
	最大漏源电压 Vd	30V
	系列	BSD
	包装类型	US
	安装类型	表面
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	160mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	0.5W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	0.6nC
	正向电压 Vf	0.8V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	长度	2mm
	标准/认证	IEC 61249-2-21, RoHS
	宽度	1.25mm
	高度	0.9mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 1.4A
	最大漏源电压 Vd 30V
	系列 BSD
	包装类型 US
	安装类型表面
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 160mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 0.5W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.6nC
	正向电压 Vf 0.8V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	长度 2mm
	标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS
	宽度 1.25mm
	高度 0.9mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - BSD316SNH6327XTSA1

Infineon N 通道小信号 MOSFET 汽车和工业制造商提供广泛的 N 和 P 通道小信号 MOSFET 产品组合,可满足和超过知名工业标准封装中的最高质量要求。这些组件具有无与伦比的可靠性和制造能力,特别适用于各种应用,包括 LED 照明、ADAS、主体控制装置、SMPS 和电动机控制。

增强模式

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