Infineon N沟道MOS管, Vds=30 V, 1.4 A, PG-SOT363, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 258-0699P
- 制造商零件编号:
- BSD316SNH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0699P
- 制造商零件编号:
- BSD316SNH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.4 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | PG-SOT363 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.4 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 PG-SOT363 | ||
安装类型 贴片 | ||
Infineon N 通道小信号 MOSFET 汽车和工业制造商提供广泛的 N 和 P 通道小信号 MOSFET 产品组合,可满足和超过知名工业标准封装中的最高质量要求。这些组件具有无与伦比的可靠性和制造能力,特别适用于各种应用,包括 LED 照明、ADAS、主体控制装置、SMPS 和电动机控制。
增强模式
逻辑电平
Avalanche 等级
快速切换
Dv/dt 额定值
低 RDS(接通)可提供更高的效率并延长电池寿命
小型封装可节省印刷电路板空间
同类最佳的质量和可靠性
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