Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=60 V, 104 A, TSDSON, 表面安装, 8引脚, BSZ系列
- RS 库存编号:
- 258-0711
- 制造商零件编号:
- BSZ037N06LS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 5000 件）*
¥23,915.00
(不含税)
¥27,025.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年5月08日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | RMB4.783 | RMB23,915.00 |
| 10000 - 10000 | RMB4.688 | RMB23,440.00 |
| 15000 + | RMB4.547 | RMB22,735.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0711
- 制造商零件编号:
- BSZ037N06LS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 104A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TSDSON | |
| 系列 | BSZ | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.3mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 35nC | |
| 最大功耗 Pd | 69W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 104A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TSDSON | ||
系列 BSZ | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.3mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 35nC | ||
最大功耗 Pd 69W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 5 60V 功率 MOSFET 包括完美适合优化效率和功率密度解决方案,如开关模式电源中的同步整流、用于电信砖和服务器应用以及便携式充电器。仅 3.3x3.3mm2 的小尺寸结合出色的电气性能,进一步有助于在终端应用中实现最佳功率密度和形状因数改进。
单片集成肖特基式二极管
超低充电
特别适用于高性能应用
符合 RoHS 标准 - 无卤素
需要较少的并行
超低电压过冲
减少对跳闸电路的需求