Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=60 V, 104 A, TSDSON, 表面安装, 8引脚, BSZ037N06LS5ATMA1, BSZ系列

可享批量折扣

小计 10 件 (按连续条带形式提供)*

¥157.35

(不含税)

¥177.81

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 4,900 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
10 - 98RMB15.735
100 - 248RMB14.945
250 - 498RMB13.905
500 +RMB12.645

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
258-0712P
制造商零件编号:
BSZ037N06LS5ATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

104A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TSDSON

系列

BSZ

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

5.3mΩ

通道模式

N

正向电压 Vf

0.8V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

35nC

最大功耗 Pd

69W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

IEC 61249-2-21, RoHS

汽车标准

Infineon OptiMOS 5 60V 功率 MOSFET 包括完美适合优化效率和功率密度解决方案,如开关模式电源中的同步整流、用于电信砖和服务器应用以及便携式充电器。仅 3.3x3.3mm2 的小尺寸结合出色的电气性能,进一步有助于在终端应用中实现最佳功率密度和形状因数改进。

单片集成肖特基式二极管

超低充电

特别适用于高性能应用

符合 RoHS 标准 - 无卤素

需要较少的并行

超低电压过冲

减少对跳闸电路的需求