制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=100 A, 8针, TDSON, IAUC系列

RS 库存编号:: 258-0911
制造商零件编号:: IAUC100N08S5N031ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=100 A, 8针, TDSON, IAUC系列

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RS 库存编号:: 258-0911
制造商零件编号:: IAUC100N08S5N031ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	100A
	最大漏源电压 Vd	80V
	系列	IAUC
	包装类型	TDSON
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	4.6mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	0.9V
	最大功耗 Pd	167W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	59nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS, DIN IEC 68-1
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 100A
	最大漏源电压 Vd 80V
	系列 IAUC
	包装类型 TDSON
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 4.6mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 0.9V
	最大功耗 Pd 167W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 59nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS, DIN IEC 68-1
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IAUC100N08S5N031ATMA1

Infineon OptiMOS-5 功率晶体管为 N 通道增强模式。工作温度为 175°C。

AEC 认证

MSL1 高达 260°C 峰值回流

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