Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 120 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, IAUC系列

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RS Stock No.:
258-0916P
Mfr. Part No.:
IAUC120N04S6N010ATMA1
Brand:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

IAUC

包装类型

TDSON

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.8V

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

81nC

最大功耗 Pd

150W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS 6 40V 功率 MOS 技术采用 5x6mm2 SS08 无引线封装,具有最高质量水平和坚固性,适用于汽车应用。由 16 种产品组成的产品组合,使客户能够在应用中找到最适合的产品。所有这些都可实现市场上同类产品最佳的 FOM 和性能。新型 SS08 产品提供 120A 连续电流额定值, >比标准 DPAK 高出 25%,占其印迹面积的近一半。

N 通道 - 增强模式 - 正常 LevelAEC Q101 认证

MSL1 高达 260°C 峰值回流

绿色产品(符合 RoHS 标准)

100% 雪崩测试