Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 120 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, IAUC120N06S5L032ATMA1, IAUC系列
- RS 库存编号:
- 258-0920
- 制造商零件编号:
- IAUC120N06S5L032ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB17.245 | RMB34.49 |
| 10 - 98 | RMB16.71 | RMB33.42 |
| 100 - 248 | RMB15.885 | RMB31.77 |
| 250 - 498 | RMB14.77 | RMB29.54 |
| 500 + | RMB13.445 | RMB26.89 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0920
- 制造商零件编号:
- IAUC120N06S5L032ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | IAUC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 IAUC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 9.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS 5 技术用于 60V MOSFET,采用工业标准 SSO8 小尺寸封装,具有卓越的性能,提供低 RDSon、QG 和门电容,并最大程度地减少传导和切换损耗。
改进了 EMC 行为
AEC−Q101 认证和 PPAP 支持器件
符合 RoHS 标准