Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 120 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, IAUC120N06S5L032ATMA1, IAUC系列

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包装方式:
RS 库存编号:
258-0920
制造商零件编号:
IAUC120N06S5L032ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

IAUC

包装类型

TDSON

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

9.8mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.1V

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS 5 技术用于 60V MOSFET,采用工业标准 SSO8 小尺寸封装,具有卓越的性能,提供低 RDSon、QG 和门电容,并最大程度地减少传导和切换损耗。

改进了 EMC 行为

AEC−Q101 认证和 PPAP 支持器件

符合 RoHS 标准