Infineon MOS管, Vds=1200 V, PG-TO247-4, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 258-3763
- 制造商零件编号:
- IMZ120R060M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 管，共 30 件）*
¥1,417.41
(不含税)
¥1,601.67
(含税)
有库存
- 另外 60 件在 2025年12月08日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB47.247 | RMB1,417.41 |
| 60 - 60 | RMB45.829 | RMB1,374.87 |
| 90 + | RMB44.454 | RMB1,333.62 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3763
- 制造商零件编号:
- IMZ120R060M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大漏源电压 | 1200 V | |
| 封装类型 | PG-TO247-4 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大漏源电压 1200 V | ||
封装类型 PG-TO247-4 | ||
安装类型 贴片 | ||
Infineon CoolSiC 1200 V、60 mΩ SiC MOSFET 采用 TO247-4 封装,基于最先进的槽式半导体工艺,经优化可将性能与可靠性结合在一起。与 IGBT 和 MOSFET 等传统基于硅的开关相比,SiC MOSFET 具有一系列优点。这些包括,在 1200 V 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容级别,内部防切换主体二极管的无反向恢复损耗,温度独立的低切换损耗和无阈值接通状态特性。CoolSiC MOSFET 特别适用于硬质和谐振切换拓扑,如功率因数校正电路、双向拓扑和直流-直流转换器或直流-交流反相器。
宽门源电压范围
适用于硬切换的坚固且低损耗的体二极管
温度独立的关闭切换损失
最高效率
降低冷却力量
适用于硬切换的坚固且低损耗的体二极管
温度独立的关闭切换损失
最高效率
降低冷却力量