Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=1200 V, TO-247, 表面安装
- RS 库存编号:
- 258-3764P
- 制造商零件编号:
- IMZ120R060M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3764P
- 制造商零件编号:
- IMZ120R060M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9.8mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 5.2V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 9.8mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 5.2V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon CoolSiC 1200 V、60 mΩ SiC MOSFET 采用 TO247-4 封装,基于最先进的槽式半导体工艺,经优化可将性能与可靠性结合在一起。与 IGBT 和 MOSFET 等传统基于硅的开关相比,SiC MOSFET 具有一系列优点。这些包括,在 1200 V 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容级别,内部防切换主体二极管的无反向恢复损耗,温度独立的低切换损耗和无阈值接通状态特性。CoolSiC MOSFET 特别适用于硬质和谐振切换拓扑,如功率因数校正电路、双向拓扑和直流-直流转换器或直流-交流反相器。
宽门源电压范围
适用于硬切换的坚固且低损耗的体二极管
温度独立的关闭切换损失
最高效率
降低冷却力量