Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 66 A, TO-220, 表面安装, IPAN60R125PFD7SXKSA1, IPA系列

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包装方式:
RS 库存编号:
258-3780
制造商零件编号:
IPAN60R125PFD7SXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

66A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

IPA

包装类型

TO-220

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

125mΩ

通道模式

N

正向电压 Vf

1.2V

标准/认证

No

汽车标准

Infineon 600V CoolMOS PFD7 超级接线 MOSFET 补充了 CoolMOS 7,适用于消费者应用。采用 TO-220 FullPAK 窄引线封装的 MOSFET 具有 125mΩ 的 RDS(接通),从而实现低切换损耗。这些产品随附快速主体二极管,可确保坚固的设备,从而减少客户的材料成本。此产品系列定制用于超高功率密度以及最高效率设计。该产品主要用于超高密度充电器、适配器和低功率电动机驱动器。600V CoolMOS PFD7 通过 CoolMOS P7 和 CE MOSFET 技术提供更好的轻型和满负载效率,从而使功率密度增加 1.8W/inch3。

宽范围的 RDS(接通)值

出色的转换坚固性

低 EMI

广泛的封装组合

BOM 降低成本和易于制造

坚固性和可靠性

易于选择正确的部件,用于设计精细调整