Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=80 V, 166 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, iPB系列
- RS 库存编号:
- 258-3788
- 制造商零件编号:
- IPB024N08N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 258-3788
- 制造商零件编号:
- IPB024N08N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 166A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | iPB | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.4mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 99nC | |
| 正向电压 Vf | 0.92V | |
| 最大功耗 Pd | 214W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 166A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 iPB | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.4mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 99nC | ||
正向电压 Vf 0.92V | ||
最大功耗 Pd 214W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
与前几代相比,Infineon OptiMOS 5 80V 工业功率 MOSFET 提供 43% 的 RDS(on) 降低,特别适用于高切换频率。此系列的设备专门设计用于电信和服务器电源中的同步整流。此外,它们还可用于其他工业应用,如太阳能、低电压驱动器和适配器。
优化用于同步整流
特别适用于高切换频率
需要较少的并行
增强的功率密度