Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 166 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, iPB系列
- RS 库存编号:
- 258-3790
- 制造商零件编号:
- IPB032N10N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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¥15,548.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 + | RMB15.548 | RMB15,548.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3790
- 制造商零件编号:
- IPB032N10N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 166A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | iPB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.2mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 187W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 76nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 166A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 iPB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.2mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 187W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 76nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 5 100V 功率 MOSFET 专门设计用于电信块中的同步整流,包括 Or-ing、热交换和电池保护,以及用于服务器电源应用。与类似设备相比,该设备的 RDS(接通)更低 22%,这款行业领先的 FOM 的最大贡献之一是低接通状态电阻,提供最高级别的功率密度和效率。
减少切换和导电损耗
需要较少的并行
增强的功率密度
低电压过冲