Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=150 V, 136 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, iPB系列
- RS 库存编号:
- 258-3792
- 制造商零件编号:
- IPB060N15N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 258-3792
- 制造商零件编号:
- IPB060N15N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 136A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | iPB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 54.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 250W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 136A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 iPB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 6mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 54.5nC | ||
最大功耗 Pd 250W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 5 150 V 功率 MOSFET 特别适用于低电压驱动器,如叉车和电动摩托车,以及电信和太阳能应用。新产品提供 RDS(on) 和 Qrr 的突破性降低,而不会影响 FOM gd 和 FOM OSS,有效减少设计工作,同时优化系统效率。此外,超低反向恢复电荷增加了交换坚固性。
更低的输出电荷
超低反向恢复电荷
减少并行
更高的功率密度设计