Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=150 V, 136 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, IPB060N15N5ATMA1, iPB系列

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包装方式:
RS 库存编号:
258-3794P
制造商零件编号:
IPB060N15N5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

136A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

iPB

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

6mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.9V

最大功耗 Pd

250W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

54.5nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

IEC 61249-2-21, RoHS

汽车标准

Infineon OptiMOS 5 150 V 功率 MOSFET 特别适用于低电压驱动器,如叉车和电动摩托车,以及电信和太阳能应用。新产品提供 RDS(on) 和 Qrr 的突破性降低,而不会影响 FOM gd 和 FOM OSS,有效减少设计工作,同时优化系统效率。此外,超低反向恢复电荷增加了交换坚固性。

更低的输出电荷

超低反向恢复电荷

减少并行

更高的功率密度设计

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。