Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=120 V, 100 A, TO-263, 表面安装, iPB系列
- RS Stock No.:
- 258-3795
- Mfr. Part No.:
- IPB100N12S305ATMA1
- Brand:
- Infineon
Subtotal (1 reel of 1000 units)*
¥19,855.00
(exc. VAT)
¥22,436.00
(inc. VAT)
暂时缺货
- 在 2026年4月16日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
Units | Per unit | Per Reel* |
|---|---|---|
| 1000 + | RMB19.855 | RMB19,855.00 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3795
- Mfr. Part No.:
- IPB100N12S305ATMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 120V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | iPB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 139nC | |
| 最大功耗 Pd | 300W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 120V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 iPB | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 139nC | ||
最大功耗 Pd 300W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-T 功率晶体管是 N 通道正常电平增强模式。工作温度为 175°C。
AEC 认证
MSL1 高达 260°C 峰值回流