Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 180 A, TO-263, 表面安装, iPB系列
- RS 库存编号:
- 258-3803P
- 制造商零件编号:
- IPB180N10S403ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 258-3803P
- 制造商零件编号:
- IPB180N10S403ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | iPB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 108nC | |
| 最大功耗 Pd | 250W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 iPB | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 108nC | ||
最大功耗 Pd 250W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-T2 功率晶体管是 N 通道正常电平增强模式。工作温度为 175°C。
AEC 认证
MSL1 高达 260°C 峰值回流