Infineon P沟道MOS管, Vds=40 V, 180 A, PG-TO263-7-3, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 258-3805P
- 制造商零件编号:
- IPB180P04P403ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB27.64 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3805P
- 制造商零件编号:
- IPB180P04P403ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 180 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | PG-TO263-7-3 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 180 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 PG-TO263-7-3 | ||
安装类型 贴片 | ||
Infineon OptiMOS-P2 功率晶体管具有最低的切换和传导功率损耗,可实现最高热效率。坚固的封装,具有卓越的质量和可靠性。
无需充电泵,用于高侧驱动
简单的接口驱动电路
最高电流容量
简单的接口驱动电路
最高电流容量
