制造商编号

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=80 A, TO-263, iPB系列

RS 库存编号:: 258-3813
制造商零件编号:: IPB80P04P405ATMA2
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=80 A, TO-263, iPB系列

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10 - 98	RMB22.995	RMB45.99
100 - 248	RMB21.845	RMB43.69
250 - 498	RMB20.325	RMB40.65
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RS 库存编号:: 258-3813
制造商零件编号:: IPB80P04P405ATMA2
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	80A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	iPB
	包装类型	TO-263
	安装类型	表面
	最大漏源电阻 Rd	40.7mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.2V
	标准/认证	No
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 80A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 iPB
	包装类型 TO-263
	安装类型表面
	最大漏源电阻 Rd 40.7mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.2V
	标准/认证 No
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPB80P04P405ATMA2

Infineon OptiMOS-P2 功率晶体管是 P 通道正常电平增强模式。工作温度为 175°C。

AEC 认证

MSL1 高达 260°C 峰值回流

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