Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 80 A, TO-263, 表面安装, IPB80P04P405ATMA2, iPB系列
- RS 库存编号:
- 258-3813P
- 制造商零件编号:
- IPB80P04P405ATMA2
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 10 件 (按连续条带形式提供)*
¥178.10
(不含税)
¥201.30
(含税)
有库存
- 910 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB17.81 |
| 100 - 248 | RMB16.915 |
| 250 - 498 | RMB15.74 |
| 500 + | RMB14.315 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3813P
- 制造商零件编号:
- IPB80P04P405ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | iPB | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 40.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 iPB | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 40.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-P2 功率晶体管是 P 通道正常电平增强模式。工作温度为 175°C。
AEC 认证
MSL1 高达 260°C 峰值回流