Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 80 A, TO-263, 表面安装, iPB系列
- RS 库存编号:
- 258-3819
- 制造商零件编号:
- IPB80P04P4L06ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 258-3819
- 制造商零件编号:
- IPB80P04P4L06ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | iPB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 40.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 iPB | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 40.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-P2 功率晶体管是 P 通道逻辑电平增强模式。工作温度为 175°C。
AEC 认证
MSL1 高达 260°C 峰值回流