Infineon N沟道MOSFET, Vds=650 V, Id=211 A, TO-263, iPB系列

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包装方式：
RS 库存编号:
258-3827
制造商零件编号:
IPBE65R050CFD7AATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

211A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

iPB

包装类型

TO-263

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

40.7mΩ

通道模式

N

正向电压 Vf

1.2V

标准/认证

No

汽车标准

否

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