Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 211 A, TO-263, 表面安装, IPBE65R050CFD7AATMA1, iPB系列
- RS 库存编号:
- 258-3827P
- 制造商零件编号:
- IPBE65R050CFD7AATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB51.85 |
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| 250 - 499 | RMB39.18 |
| 500 + | RMB37.92 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3827P
- 制造商零件编号:
- IPBE65R050CFD7AATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 211A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | iPB | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 40.7mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 211A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 iPB | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 40.7mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon CoolMOS C3A 技术设计用于满足 PHEV 和 BEV 等电动车辆领域的高系统电压日益增长的需求。
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