制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=59 A, 3针, TO-252, IPD系列

RS 库存编号:: 258-3833
制造商零件编号:: IPD122N10N3GATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=59 A, 3针, TO-252, IPD系列

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10 - 98	RMB12.945	RMB25.89
100 - 248	RMB12.305	RMB24.61
250 - 498	RMB11.44	RMB22.88
500 +	RMB10.415	RMB20.83

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RS 库存编号:: 258-3833
制造商零件编号:: IPD122N10N3GATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	59A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	IPD
	包装类型	TO-252
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	12.2mΩ
	通道模式	N
	正向电压 Vf	1V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	94W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	26nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS, IEC 61249-2-21
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 59A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 IPD
	包装类型 TO-252
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 12.2mΩ
	通道模式 N
	正向电压 Vf 1V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 94W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS, IEC 61249-2-21
	汽车标准否

Datasheet - IPD122N10N3GATMA1

Infineon OptiMOS 功率 MOSFET 提供卓越的解决方案,用于高效、高功率密度 SMPS。与下一个最佳技术相比,此系列实现了 R DS(on) 和 FOM 的 30% 减少。

出色的切换性能

需要较少的并行

最小的板空间消耗

易于设计的产品

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