Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=59 A, 3针, TO-252, IPD系列
- RS 库存编号:
- 258-3833P
- 制造商零件编号:
- IPD122N10N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB9.845 |
| 100 - 248 | RMB9.355 |
| 250 - 498 | RMB8.70 |
| 500 + | RMB7.92 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3833P
- 制造商零件编号:
- IPD122N10N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 59A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | IPD | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 12.2mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 26nC | |
| 最大功耗 Pd | 94W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 59A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 IPD | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 12.2mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26nC | ||
最大功耗 Pd 94W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 功率 MOSFET 提供卓越的解决方案,用于高效、高功率密度 SMPS。与下一个最佳技术相比,此系列实现了 R DS(on) 和 FOM 的 30% 减少。
出色的切换性能
需要较少的并行
最小的板空间消耗
易于设计的产品