Infineon N型沟道 P型 MOSFET, Vds=100 V, 67 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD12CN10NGATMA1, IPD系列
- RS 库存编号:
- 258-3835
- 制造商零件编号:
- IPD12CN10NGATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB10.725 | RMB21.45 |
| 10 - 98 | RMB10.40 | RMB20.80 |
| 100 - 248 | RMB9.885 | RMB19.77 |
| 250 - 498 | RMB9.195 | RMB18.39 |
| 500 + | RMB8.365 | RMB16.73 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3835
- 制造商零件编号:
- IPD12CN10NGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 67A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | IPD | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 12.4mΩ | |
| 通道模式 | P | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 49nC | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 67A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 IPD | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 12.4mΩ | ||
通道模式 P | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 49nC | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 功率 MOSFET 提供卓越的解决方案,用于高效、高功率密度 SMPS。与下一个最佳技术相比,此系列实现了 R DS(on) 和 FOM 的 30% 减少
出色的切换性能
世界最低 R DS(on)
环保
提高效率
最高功率密度