Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=120 V, 35 A, PG-TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD系列
- RS 库存编号:
- 258-3839
- 制造商零件编号:
- IPD35N12S3L24ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3839
- 制造商零件编号:
- IPD35N12S3L24ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 35A | |
| 最大漏源电压 Vd | 120V | |
| 系列 | IPD | |
| 包装类型 | PG-TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 24mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 71W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 30nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 35A | ||
最大漏源电压 Vd 120V | ||
系列 IPD | ||
包装类型 PG-TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 24mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 71W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 30nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-T 功率晶体管是用于汽车应用的功率 MOSFET。工作温度为 175°C。
N 通道 - 增强模式
汽车 AEC Q101 认证
MSL1 高达 260°C 峰值回流