Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=-30 V, -50 A, PG-TO-252, 表面安装, IPD50P03P4L11ATMA2, IPD系列
- RS 库存编号:
- 258-3842
- 制造商零件编号:
- IPD50P03P4L11ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB8.565 | RMB17.13 |
| 10 - 98 | RMB8.30 | RMB16.60 |
| 100 - 248 | RMB7.895 | RMB15.79 |
| 250 - 498 | RMB7.34 | RMB14.68 |
| 500 + | RMB6.675 | RMB13.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3842
- 制造商零件编号:
- IPD50P03P4L11ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -50A | |
| 最大漏源电压 Vd | -30V | |
| 包装类型 | PG-TO-252 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 58W | |
| 最大栅源电压 Vgs | -0.31 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 42nC | |
| 正向电压 Vf | -1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -50A | ||
最大漏源电压 Vd -30V | ||
包装类型 PG-TO-252 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 10.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 58W | ||
最大栅源电压 Vgs -0.31 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 42nC | ||
正向电压 Vf -1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 DIN IEC 68-1, RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
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