Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=500 V, 4.3 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD系列
- RS 库存编号:
- 258-3846
- 制造商零件编号:
- IPD50R950CEAUMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 2500 件）*
¥4,095.00
(不含税)
¥4,627.50
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月06日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | RMB1.638 | RMB4,095.00 |
| 5000 - 5000 | RMB1.605 | RMB4,012.50 |
| 7500 + | RMB1.557 | RMB3,892.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3846
- 制造商零件编号:
- IPD50R950CEAUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 系列 | IPD | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 950mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 53W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| 正向电压 Vf | 0.83V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4.3A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
系列 IPD | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 950mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 53W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10.5nC | ||
正向电压 Vf 0.83V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 500V CoolMOS CE 是价格性能优化平台,可针对消费者和照明市场的成本敏感应用,同时仍符合最高效率标准。新系列提供快速切换超接点 MOSFET 的所有优点,同时不会牺牲易用性,并提供市场上最佳的低成本性能比。
高主体二极管坚固性
减少反向恢复电荷
易于控制切换行为