制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=60 A, 3针, TO-252, IPD系列

RS 库存编号:: 258-3849
制造商零件编号:: IPD60N10S412ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=60 A, 3针, TO-252, IPD系列

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10 - 98	RMB14.695	RMB29.39
100 - 248	RMB13.965	RMB27.93
250 - 498	RMB12.98	RMB25.96
500 +	RMB11.82	RMB23.64

* 参考价格

RS 库存编号:: 258-3849
制造商零件编号:: IPD60N10S412ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	60A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-252
	系列	IPD
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	12.2mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	26nC
	最大功耗 Pd	94W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 60A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-252
	系列 IPD
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 12.2mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26nC
	最大功耗 Pd 94W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPD60N10S412ATMA1

Infineon OptiMOS-T2 功率晶体管是 P 通道正常电平增强模式。工作温度为 175°C。

AEC 认证

MSL1 高达 260°C 峰值回流

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