Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 31 A, TO-252, 表面安装, IPD60R280PFD7SAUMA1, IPD系列
- RS 库存编号:
- 258-3854
- 制造商零件编号:
- IPD60R280PFD7SAUMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 10 - 98 | RMB11.565 | RMB23.13 |
| 100 - 248 | RMB10.985 | RMB21.97 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3854
- 制造商零件编号:
- IPD60R280PFD7SAUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 31A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 210mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 31A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 210mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 600V CoolMOS PFD7 超级接线 MOSFET 补充了 CoolMOS 7,适用于消费者应用。CoolMOS PFD7 超级接线 MOSFET 采用 TO 252 DPAK 封装,具有 280mΩ 的 RDS(接通),从而实现低切换损耗。该产品随附集成快速主体二极管,确保坚固的设备。快速主体二极管和行业领先的 SMD 封装可减少印刷电路板空间,从而减少客户的材料成本。此产品系列定制用于超高功率密度以及最高效率设计。该产品主要用于超高密度充电器、适配器和低功率电动机驱动器。600V CoolMOS PFD7 通过 CoolMOS P7 和 CE MOSFET 技术提供更好的轻型和满负载效率,从而使功率密度增加 1.8W/inch3。
出色的转换坚固性
低 EMI
广泛的封装组合
BOM 降低成本和易于制造
坚固性和可靠性
易于选择正确的部件,用于设计精细调整