制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=650 V, Id=14 A, TO-252, IPD系列

RS 库存编号:: 258-3860
制造商零件编号:: IPD60R600PFD7SAUMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=650 V, Id=14 A, TO-252, IPD系列

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10 - 95	RMB9.944	RMB49.72
100 - 245	RMB9.446	RMB47.23
250 - 495	RMB8.784	RMB43.92
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* 参考价格

RS 库存编号:: 258-3860
制造商零件编号:: IPD60R600PFD7SAUMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	14A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	IPD
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	最大漏源电阻 Rd	210mΩ
	通道模式	N
	正向电压 Vf	1.2V
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 14A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 IPD
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	最大漏源电阻 Rd 210mΩ
	通道模式 N
	正向电压 Vf 1.2V
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - IPD60R600PFD7SAUMA1

Infineon 600V CoolMOS PFD7 超级接线 MOSFET 补充了 CoolMOS 7,适用于消费者应用。CoolMOS PFD7 超级接线 MOSFET 采用 TO 252 DPAK 封装,具有 2,000mΩ 的 RDS(接通),从而实现低切换损耗。实施的快速主体二极管可确保坚固的设备,从而减少客户的材料成本。此外,我们提供行业领先的 SMD 封装,有助于节省印刷电路板空间并简化制造。

宽范围的 RDS(接通)值

出色的转换坚固性

低 EMI

广泛的封装组合

BOM 降低成本和易于制造

坚固性和可靠性

易于选择正确的部件,用于设计精细调整

Infineon N沟道MOSFET, Vds=650 V, Id=14 A, TO-252, IPD系列

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