Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=-40 V, -85 A, TO-252, 表面安装, IPD系列
- RS 库存编号:
- 258-3865
- 制造商零件编号:
- IPD85P04P407ATMA2
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 2500 件）*
¥12,417.50
(不含税)
¥14,032.50
(含税)
有库存
- 另外 2,500 件在 2025年12月15日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | RMB4.967 | RMB12,417.50 |
| 5000 - 5000 | RMB4.867 | RMB12,167.50 |
| 7500 + | RMB4.721 | RMB11,802.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3865
- 制造商零件编号:
- IPD85P04P407ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -85A | |
| 最大漏源电压 Vd | -40V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 69nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 88W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, DIN IEC 68-1 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -85A | ||
最大漏源电压 Vd -40V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 69nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 88W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, DIN IEC 68-1 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-P2 功率晶体管具有最低的切换和传导功率损耗,可实现最高热效率。坚固的封装,具有卓越的质量和可靠性。
无需充电泵,用于高侧驱动
简单的接口驱动电路
最高电流容量