Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=-40 V, Id=-90 A, 3针, TO-252, IPD系列

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包装方式：
RS 库存编号:
258-3869
制造商零件编号:
IPD90P04P405ATMA2
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

-90A

最大漏源电压 Vd

-40V

包装类型

TO-252

系列

IPD

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

4.7mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

125W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

118nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

-1V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

标准/认证

DIN IEC 68-1, RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-P2 功率晶体管具有最低的切换和传导功率损耗,可实现最高热效率。坚固的封装,具有卓越的质量和可靠性。

无需充电泵,用于高侧驱动

简单的接口驱动电路

最高电流容量

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