Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=-40 V, Id=-90 A, 3针, TO-252, IPD系列
- RS 库存编号:
- 258-3869P
- 制造商零件编号:
- IPD90P04P405ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB21.03 |
| 100 - 248 | RMB19.98 |
| 250 - 498 | RMB18.585 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3869P
- 制造商零件编号:
- IPD90P04P405ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -90A | |
| 最大漏源电压 Vd | -40V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 正向电压 Vf | -1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 118nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -90A | ||
最大漏源电压 Vd -40V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
正向电压 Vf -1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 118nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 DIN IEC 68-1, RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon IPD 系列 MOSFET,40V 最大漏源电压,125W 最大功耗 - IPD90P04P405ATMA2
该MOSFET是一款P沟道增强型晶体管，专为严苛环境中的表面贴装功率开关应用而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于需要低导通电阻和稳健栅极处理的高电流应用。该设备符合汽车可靠性标准和环境指令,适用于监管行业。
特性和优点：
• 4.7mΩ Rds(on) 可减少传导损耗并提高效率
• 90A 连续漏电流支持高电流开关负载
• 118nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关性能
• 20V 最大栅极-源公差可实现灵活的栅极驱动余量
• 125W 功耗可在紧凑型组件中管理高功率
• 90A 连续漏电流支持高电流开关负载
• 118nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关性能
• 20V 最大栅极-源公差可实现灵活的栅极驱动余量
• 125W 功耗可在紧凑型组件中管理高功率
应用
• 适用于高电流直流配电级别
• 适用于符合AEC‐Q101要求的汽车电源模块
• 在表面贴装电源设计中与紧凑型散热器配合使用
• 可用于电源转换器中的同步开关
• 适用于符合AEC‐Q101要求的汽车电源模块
• 在表面贴装电源设计中与紧凑型散热器配合使用
• 可用于电源转换器中的同步开关
它在运行时能承受的温度范围是多少？
它的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,可在广泛的热环境中使用。
封装选择对组装有何影响?
TO-252封装便于表面贴装安装并在PCB接地处传导热量。
它符合哪些标准和指令?
它符合DIN IEC 68-1标准,并符合RoHS标准。
哪些通道特性决定了开关行为?
该设备采用 P 型增强模式,可定义极性和栅极驱动传导行为。