Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=600 V, 20 A, HDSOP, 表面安装, 10引脚, IPDD60R125G7XTMA1, IPD系列
- RS Stock No.:
- 258-3875
- Mfr. Part No.:
- IPDD60R125G7XTMA1
- Brand:
- Infineon
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- RS Stock No.:
- 258-3875
- Mfr. Part No.:
- IPDD60R125G7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | IPD | |
| 包装类型 | HDSOP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 125mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 27nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 120W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 IPD | ||
包装类型 HDSOP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 10 | ||
最大漏源电阻 Rd 125mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 27nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 120W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 双 DPAK 是首款顶面冷却表面安装器件封装,适用于 PC 电源、太阳能、服务器和电信等高功率 SMPS 应用。现有的高电压技术 600V CoolMOS G7 超级接线 MOSFET 的优点与创新的顶侧冷却概念结合在一起,为 PFC 等高电流硬切换拓扑提供系统解决方案,以及为 LLC 拓扑提供高效解决方案。
创新型顶侧冷却概念
内置第 4 引脚 Kelvin 源配置和低寄生源电感
允许更高的功率密度解决方案
超过最高质量标准